В 2014 году присуждена квалификация бакалавра техники и технологии по направлению «Электроника и микроэлектроника».

В 2016 году присуждена степень магистра техники и технологии по направлению «Электроника и наноэлектроника».

Стаж работы по специальности более 8 лет.

Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Области научных интересов

• Энергонезависимая фазовая память
• Разработка технологии формирования тонких пленок халькогенидных полупроводников вакуумными методами осаждения
• Исследование свойств тонких пленок материалов фазовой памяти (электрофизические, структурные, механические)
• Исследование кинетики кристаллизации
• Разработка технологии гибкой энергонезависимой фазовой памяти
• Полупроводниковые преобразователи энергии
• Исследование свойств тонких и объемных термоэлектрических материалов (электрофизические, механические).

Основные публикации:

Свидетельства РИД

1. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2016618045 Российская Федерация. Программное обеспечение программно - аппаратного комплекса для проведения исследования вольтамперных характеристик тонкопленочных образцов материалов фазовой памяти в широком температурном диапазоне / А. О. Якубов, П. И. Лазаренко, А. А. Шерченков, С. П. Тимошенков; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2016615310; заявл. 25.05.2016; опубл. 20.07.2016.

2. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2017612086 Российская Федерация. Программное обеспечение для исследования процесса переключения образцов на основе тонких пленок фазовой памяти / А. О. Якубов, П. И. Лазаренко, А. А. Шерченков, А. В. Бабич; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2016663329; заявл. 07.12.2016; опубл. 15.02.2017.

3. Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы № 2018630057 Российская Федерация. Матрица ячеек энергонезависимой фазовой памяти вертикального типа с управляющими элементами. / П.И. Лазаренко, С.А. Филатов, А.А. Шерченков, Д.Ю. Терехов, А.О. Якубов; заявитель и патентообладатель Национальный исследовательский университет «МИЭТ». – заявка № 2017630162; заявл. 29.11.2017; опубл. 26.04.2018

Статьи:

1. Lazarenko P. Influence of indium doping on the electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin films for nonvolatile phase change memory devices / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, H.P. Nguen, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov // Journal of Physics: Conference Series. – 2016. – Vol. 690. – pp. 012006-1 - 012006-6. DOI: 10.1088/1742-6596/690/1/012006.

2. Lazarenko P. Influence of the composition on the thermoelectric and electro-physical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory application / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, D. Terekhov, A. Yakubov, A. Babich, A. Shuliatyev, I. Sagunova, E. Redichev // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2016. – Vol. 8, No 3. – pp.03033-1 - 03033-4. DOI: 10.21272/jnep.8(3).03033.

3. Sherchenkov A. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory / A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, A. Babich, S. Timoshenkov, D. Gromov, A. Yakubov, D. Terekhov // Solid State Phenomena. – 2016. – Vol. 247. – P. 30-38. DOI:10.4028/www.scientific.net/SSP.249.30.

4. Mikhailova M. Application of thermal analysis for study of Sn-Ag electrolytic alloys on to copper and titanium plates / M. Mikhailova, V. Roshchin, I. Petukhov, M. Vagin, A. Yakubov // Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017. – 2017. – P. 1179-1182. DOI:10.1109/EIConRus.2017.7910769.

5. Sherchenkov A. correlation between the structural transformations and physical properties in Ge2Sb2Te5 thin films / A. Sherchenkov, P. Lazarenko, Y.Sybina, A. Prikhodko, A. Yakubov // Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017. – 2017. – P. 1197-1200. DOI:10.1109/EIConRus.2017.7910775.

6. Nguyen H. T. Characteristics of Amorphous As2S3 Semiconductor Films Obtained via Spin Coating / H.T. Nguyen, A. Yakubov, P. Lazarenko, A. Volkova, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin // Semiconductors. – 2018. – Vol. 52, No. 15. – P. 1963-1968. DOI: 10.1134/S1063782618150058.

7. Yakubov A. Influence of the adjacent layers on the crystallization kinetics of Ge2Sb2Te5 thin films / A. Yakubov, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, I. Sagunova, E. Kirilenko // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. – 2020. – Vol. 142. – №. 2. – P. 1019-1029. DOI: 10.1007/s10973-020-10013-5.

8. Yakubov A. Contact resistance measurements for the Ge2Sb2Te5 thin films / A. Yakubov, A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, D. Terekhov, A. Dedkova // Chalcogenide Letters. – 2020. – Vol. 17. – №. 1. – P. 1-8.

9. Lazarenko P.I. Peculiarities of Estimating the Optical Band Gap of Thin Films of Phase Change Memory Materials / P.I. Lazarenko, Yu.V. Vorobyov, M.E. Fedyanina, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.O. Yakubov, A.V. Kukin, Yu.S. Sybina, I.V. Sagunova // Inorganic Materials: Applied Research. – 2020. – Vol. 11. – P. 330-337. DOI: 10.1134/S2075113320020227.

10. Fedyanina M.E. Influence of the Degree of Crystallinity on the Dispersion of the Optical Parameters of Ge2Sb2Te5 Phase-Change Memory Thin Films / M.E. Fedyanina, P.I. Lazarenko, Yu.V. Vorobyov, S.A. Kozyukhin, A.A. Dedkova, A. O. Yakubov, V.S. Levitskii, I.V. Sagunova, A.A. Sherchenkov //Semiconductors. – 2020. – Vol. 54. – №. 13. – P. 1775-1783. DOI: 10.1134/S1063782620130060.

11. Vorobyov Y. Temperature activated conductivity of Ge2Sb2Te5: connection to the variation of Fermi level and implications on resistance drift / Y. Vorobyov, A. Ermachikhin, A. Yakubov, E. Trusov, M. Fedyanina, P. Lazarenko, S. Kozyukhin // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2021. DOI: 10.1088/1361-6463/abfe7e.

12. Smayev M.P. Direct single-pass writing of two-phase binary diffraction gratings in a Ge2Sb2Te5 thin film by femtosecond laser pulses / Smayev, M.P., Lazarenko, P.I., Budagovsky, I.A., Yakubov, A.O., Borisov, V.N., Vorobyov, Y.V., Kunkel, T.S., Kozyukhin, S.A. //Optics & Laser Technology. – 2022. – Т. 153. – С. 108212. DOI: 10.1016/j.optlastec.2022.108212.