Воловликова Ольга Вениаминовна
кандидат технических наук
Краткая биография
Закончила Ульяновский государственный университет. В 2008 году присуждена квалификация бакалавра физики по направлению «Физика».
В 2010 году присуждена степень магистра физики по направлению «Физика».
В 2015 году окончила аспирантуру, защитив кандидатскую диссертацию на кафедре «Материалы функциональной электроники» Национального исследовательского университета «МИЭТ».
Научная деятельность
В качестве исполнителя и научного руководителя участвует в проведении НИР, результаты которых внедрены на предприятиях и в учебный процесс.
Научное направление: 05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.
Области научных интересов: кластеры серебра, плавление-диспергирование тонких пленок, сульфидизация, наноструктурированный кремний, гальваническое травление кремния.
Основные публикации:
1. Bulyarskii, S.V. Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth / S.V. Bulyarskii, O.V. Pyatilova, A.V. Tsygantsov, A.S. Basaev, V.A. Galperin, A.A. Pavlov, Y.P. Shaman / Semiconductors. - 2010. - Т. 44. - № 13. - С. 1718-1722.
2. Булярский, С.В. Расчет параметров нуклеации кластеров катализаторов для синтеза углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, Ю.П. Шаман // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. –№3(83). –С. 38-43.
3. Булярский, С.В. Гомогенное и гетерогенное формирование кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, Ю.П. Шаман // Нано- и микросистемная техника. –2010. –№7(120). –С. 2-8.
4. Пятилова, О.В. Формирование наноструктур Ag/Ag2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO2 и Cu/C / О.В. Пятилова, А.В. Сыса, А.Н. Белов, А.А. Раскин // Нанотехника.–2012.–№3 (31). – С. 60-63.
5. Gromov, D. G. Specific Features of the Formation of Arrays of Silver Clusters from a Thin Film on a SiO2 Surface / D. G. Gromov, O. V. Pyatilova, S. V. Bulyarskii, A. N. Belov, A. A. Raskin // Physics of the Solid State. – 2013. – Vol. 55. – № 3. – P. 619–623.
6. Belov, A.N. Study of silver cluster formation from thin films on inert surface / A. N. Belov, S.V. Bulyarsky, D.G. Gromov, L.M. Pavlova, O.V. Pyatilova // Calphad.-2014.-Vol.44.-P.138-141.
7. Pyatilova, O.V. Role of Ag+ ion concentration on metal-assisted chemical etching of silicon / O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov, Ya.S. Grishina, A.N.Belov // Solid State Phenomena. - 2014. - Vol. 213. –Р.103-108.
8. Pyatilova, O. Nanostructured chalcogenide materials for memory switching devices / O. Pyatilova; S. Gavrilov; R. Rozanov; A. Zheleznyakova; A. Belov; V. Shevyakov // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics. – 2014. – Vol.9440.- P.944007-1-944007-9.
9. Zhigalov, V. Reversible and non-reversible changes in nanostructured Si in humid atmosphere / O. Pyatilova; S. Timoshenkov; S. Gavrilov // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics. - 2014.- Vol.9440.-P.94400B-1-94400B-8.
10. Пятилова О.В., Сыса А.В., Гаврилов С.А., Якимова Л.В., Павлов А.А., Белов А.Н., Раскин А.А. Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремния // Известия ВУЗов. Электроника. - 2015. – Т.20. - №6. – С.582-590.
11. O. V. Pyatilova, A.V. Sysa, S.A. Gavrilov, L.V. Yakimova, A.A. Pavlov , A.N. Belov, and A.A. Raskin Effect of Ionic Ag+ Transfer on Localization of Metal-Assisted Etching of Silicon Surface // SEMICONDUCTORS. -2016. - Vol. 50. - No. 13. –Р. 1724-1729.
12. Pyatilova O., Gavrilov S., Sysa A., Savitskiy A., Shuliatyev A., Dudin A., Pavlov A. Metal-assisted chemical etching of silicon with different metal films and clusters: a review // Proc. SPIE - 2016. - Vol. 10224. - P.1022405-1-1022405-7.
13. Shilyaeva Yu., Pyatilova O., Berezkina A., Sysa A., Dudin A., Smirnov D., Gavrilov S. Investigation of the phase formation from nickel coated nanostructured silicon // Proc. SPIE - 2016. - Vol. 10224. - P.102240E-1-102240E-5.
14. Boyko A.N., Pyatilova O.V., Kalmykov R.M., Gaev D.S., Timoshenkov S.P., Gavrilov S.A. Study of morphological characteristic of por-Si formed using metal-assisted chemical etching by BET-method and fractal geometry // Proc. SPIE - 2016. - Vol. 10224. - P.102240H-1-102240H-6.
15. O. V. Pyatilova, S. A. Gavrilov, Yu. I. Shilyaeva, A. A. Pavlov, Yu. P. Shaman, and A. A. Dudin Influence of the Doping Type and Level on the Morphology of Porous Si Formed by Galvanic Etching // Semiconductors, 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 173–177.
16. Volovlikova, O.V., Gavrilov, S.A., Sysa, A.V., Savitskiy, A.I., Berezkina, A.Yu. Ni-activated photo-electrochemical formation of por-Si in HF/H2O2/H2O Solution (2017) Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, ElConRus 2017, статья № 7910779, pp. 1213-1216.
17. O. Pyatilova, S. Gavrilov, A. Savitskiy, A. Dudin, A. Pavlov, Yu. Shilyaeva Investigation of porous Si formed by metal-assisted chemical etching with Au as catalyst IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 182394 (526071879) 0012006 doi:10.1088/1742-6596/829/1/012006, рр.1 -6.
18. ВОЛОВЛИКОВА О.В., ГАВРИЛОВ С.А., СЫСА А.В., САВИЦКИЙ А.И., ДРОНОВА Д.А., ЖЕЛЕЗНЯКОВА А.В., ПАВЛОВ А.А. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТОНКИХ ПЛЕНОК AG И NI ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ 3D-СТРУКТУР SI // Нано и микросистемная техника Том: 19, Номер: 11, Год: 201, Страницы: 658-666 DOI: 1017587/nmst.19.658-666
19. OV Volovlikova, G O Silakov, S A Gavrilov, A A Dudin, G O Diudbin, Y I Shilyaeva Investigation of the Morphological Evolution and Etching Kinetics of black Silicon During Ni- Assisted Chemical Etching // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 987 (2018) 012039 (doi :10.1088/1742-6596/987/1/012039)
20. O V Volovlikova, Y I Shilyaeva, A Y Berezkina, D I Smirnov and S A Gavrilov Investigation of the phase formation from Ni modified nanostructured silicon // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 987 (2018) 012035 (doi:10.1088/1742-6596/987/1/012035).
21. O.V. Volovlikova, S.A. Gavrilov, P.I. Lazarenko, A.V. Kukin, A.A. Dudin, A.K. Tarhanov Influence of etching regimes on the reflectance of black silicon films formed by Ni-assisted chemical etching // Key Engineering Materials, Vol. 806, pp 24-29.
22. Yulia Shilyaeva, Olga V Volovlikova, K. Poyarkov, S. A. Gavrilov Characterization of Mesoporous Silicon Using DSC Thermoporometry // International Journal of Nanoscience.- 2019. – Vol.18. - №3-4. - P1940073-1-1940073-4.