Image

Институт нано- и микросистемной техники

О нас Образовательная деятельность Научно-инновационная деятельность Сотрудники Подразделения История

контакты

Об институте

Институт нано- и микросистемной техники создан 1 сентября 2017 года на базе кафедры микроэлектроники (МЭ), ее научных подразделений и кафедры технической механики (ТМ).

Институт нано- и микросистемной техники (НМСТ) осуществляет подготовку по специальности «Конструирование и технология электронных средств» в бакалавриате и магистратуре.

Миссия Института заключается в развитии образовательного и научного (научно-технического, производственного) процесса и соответствующей профессиональной среды для создания перспективных конструкций и технологий элементов и компонентов микроэлектроники, нано- и микросистемной техники, технологического оборудования для производства электроники, робототехники (мехатроники), вычислительных средств и т.п. и подготовке кадров по направлениям обучения, соответствующим направлениям деятельности института, основанной на принципе вовлечения обучающихся в научную и проектную деятельность под руководством ведущих ученых и конструкторов отрасли.

Документы

Партнёры

  • АО НИИ «Субмикрон»
  • АО НИИТМ
  • АО «Российские космические системы»
  • АО НПП «ЭСТО»
  • ЗНТЦ
  • ООО «Лаборатория микроприборов»
  • АО «Микрон»
  • АО НПЦ «Элвис»
  • АО «НИИМЭ»

контакты

Об учебном процессе

В институте НМСТ учат создавать печатные платы, оборудование для производства электронной компонентной базы, роботов, и различные микро-электромеханические системы (МЭМС), а также разрабатывать технологию производства электронных изделий.

Основными задачами Института являются:

  • Обучение студентов по основным образовательным программам МИЭТа
  • Обучение по программам повышения квалификации и профессиональной переподготовки
  • Создание и модернизация основных и дополнительных образовательных программ Института с учётом современных потребностей области микро- и наноэлектроники 

Направления подготовки

Image
11.04.03

Конструирование и технология электронных средств

Институт нано- и микросистемной техники

Профили:

Комплексное проектирование микросистем

Проектирование технических систем средствами 3D-моделирования

Технологическое оборудование для производства изделий микроэлектроники и микросистемной техники

Все направления
Все направления

контакты

Наука

Институт НМСТ занимается исследованием и разработкой современных конструкций и технологий производства микроэлектронных изделий, а также их внедрением в серийное производство.

Коллектив института обладает компетенциями в разработки топологии, конструкции, технологии производства электронных устройств, моделирования физических процессов в них, а также трёхмерного модерирования и прототипирования с помощью аддитивных технологий (3Д-печати).

Основные направления научных исследований:

  • конструирование и разработка микроэлектромеханических систем (МЭМС)
  • разработка конструктивно-технологических принципов создания микромеханических приборов: микрогироскопов, акселерометров, датчиков и др.
  • технологии корпусирования кристаллов СБИС, СнК, в том числе на уровне пластины (RDL, FO WLP)
  • технологии создания гомогенных и гетерогенных трёхмерных микросборок и систем в корпусе
  • разработка конструктивно-технологических принципов построения микроэлектронных устройств и компьютерно-интегрированной технологии их производства на основе современной элементной базы, включая вопросы создания многокристальных микромодулей
  • технологии прецизионного беспроволочного монтажа многовыводных бескорпусных микросхем с теплоотводящими элементами (процессоров, память, ПЛИС, СнК) (flip-chip, UBM, embedded die)
  • разработка и исследование технологических процессов формирования структур «кремний-на-изоляторе» базовых структур ИМС для специальной аппаратуры и гражданского применения
  • разработка тепловых микроактюаторов для МЭМС и микрооптоэлектромеханических систем (МОЭМС) и устройств на их основе
  • разработка технологии внутреннего монтажа кристаллов на печатных платах
  • разработка технологии изготовления интерпозеров с TSV, 3D-микросборок
  • исследование, разработка и изготовление высокоплотных печатных плат
  • разработка и исследование формирования гибко-пластичных оснований для микроэлектронных устройств
  • исследование и создание интегрально – оптических и радиофотонных элементов и устройств
  • методология проектирования 3D-микросборок и систем в корпусе с мультифизическим моделированием и интеграцией с PLM-системами

Разработанные изделия

Датчики угловой скорости

Датчик угловой скорости (ДУС) предназначен для измерения проекции угловой скорости вращения на измерительную ось.

ДУС построен на базе кольцевого кремниевого резонатора, что позволяет достичь высокого уровня стойкости к внешним механическим воздействиям.

ДУС может использоваться для построения систем стабилизации, ориентации и навигации, систем управления в робототехнике и в беспилотных летательных аппаратах.

Инклинометры

Инклинометр позволяет определить углы наклона объекта, на котором он установлен, относительно 2-х взаимно перпендикулярных осей, лежащих в плоскости горизонта.

Инклинометр выполнен на базе микромеханических акселерометров, каждый из которых выдает выходной сигнал в виде цифрового кода, соответствующего величине воздействующего ускорения вдоль его оси чувствительности. Два акселерометра в инклинометре устанавливают таким образом, чтобы их оси чувствительности были направлены горизонтально и перпендикулярно друг другу.

Определяемые углы обозначены: α и β.

Микромеханические акселерометры

Микромеханический акселерометр предназначен для измерения проекции кажущегося линейного ускорения на измерительную ось.

Микромеханический акселерометр состоит из кремниевого чувствительного элемента и микросхемы преобразователя, размещенных в герметичном металлостеклянном корпусе.

Высокая линейность преобразования (нелинейность < 0.2%) достигается за счёт применения дельта-сигма преобразователя «емкость-код» и оптимизированной конструкции чувствительного элемента. Разрешение преобразователя – 24 бита. Встроенный датчик температуры может быть использован для компенсации температурных погрешностей.



Инерциальная измерительная система

Предназначена для измерения угловой скорости и ускорения с помощью встроенных МЭМС-датчиков.

Характеристики:

  • Нелинейность передаточной характеристики угловой скорости 0,1%;
  • Нелинейность передаточной характеристики ускорения 0,13%;
  • Диапазон измерения ускорений ±5 g;
  • Диапазон измерения угловых скоростей ±300 °/с;
  • Уровень шума интегрированных акселерометров: 0,09 mg/Гц1/2;
  • Уровень шума интегрированных гироскопов 0,08 с/Гц1/2;
  • Габариты инерциальной измерительной системы 93,4х80,0х36,0 мм.

Может успешно применяться:

  • На транспорте для работы в составе системы инерциальной навигации вместе с ГЛОНАСС/GPS;
  • В автомобилестроении в системах динамического контроля и компенсации;
  • Строительстве, с целью анализа возникающих колебаний;
  • Системах безопасности, для регистрации и анализа физического воздействия на объект.

Матрица двумерная управляемая

Матрица двумерная управляемая предназначена для выборочного отражения луча направленного на неё светового потока путем поворота отдельных микрозеркальных элементов на рабочей поверхности.

Характеристики:

-      Количество управляемых зеркал: 64x64, 100x100, 128x128
-      Номинальный угол поворота зеркала: ±10 град
-      Разрешение выходного сигнала: 2 угл. мин.
-      Полоса рабочих частот: 0...50 Гц
-      Размеры элементов: 50x50 мкм, 100x100 мкм, 200x200 мкм
-      Диапазон управляющих напряжений: 0...+10В
-      Габаритные размеры: 40x40x20 мм
-      Масса: 57г

Возможные области применения матрицы двумерной управляемой:

  • Системы оптической связи;
  • Системы отображения информации;
  • Оптические системы сканирования;
  • Проекционные системы.

3D-микросборки на основе интерпозеров

Характеристики:

-      Планарные размеры: до 65х65 мм;
-      Толщина подложки: от 200 до 500 мкм;
-      Диаметр сквозных отверстий: от 20 до 100 мкм;
-      Количество слоёв коммутации: до 8;
-      Основной проводящий материал: Cu;
-      Сопротивление TSV: 20…50 мОм.

Педагогический состав

ФИО Должность, учёная степень, учёное звание Электронная почта
Бойко Антон Николаевич доцент, кандидат технических наук, доцент
Бритков Олег Михайлович доцент, кандидат технических наук
Вертянов Денис Васильевич доцент, кандидат технических наук
Горностаев Павел Александрович Старший преподаватель
Горшкова Наталья Михайловна доцент, кандидат технических наук
Евстафьев Сергей Сергеевич доцент, кандидат технических наук
Коробова Наталья Егоровна профессор, в.н.с, доктор химических наук, доцент
Косолапова Галина Викторовна старший преподаватель
Кочурина Елена Сергеевна доцент, кандидат технических наук
Кравченко Анатолий Анатольевич доцент, кандидат технических наук
Лавренов Владимир Александрович старший преподаватель
Нальский Алексей Александрович доцент, кандидат технических наук
Петрова Валентина Захаровна профессор-консультант, доктор технических наук, профессор
Погалов Анатолий Иванович профессор, доктор технических наук, профессор
Разживалов Илья Николаевич ассистент
Симонов Борис Михайлович доцент, кандидат технических наук, доцент
Сомов Олег Анатольевич доцент, кандидат технических наук
Сырчин Владимир Кимович профессор, доктор технических наук, профессор
Тимошенков Алексей Сергеевич доцент, доктор технических наук
Титов Андрей Юрьевич старший преподаватель
Угольников Сергей Викторович доцент, кандидат технических наук, доцент
Шалимов Андрей Сергеевич доцент, кандидат технических наук, доцент
Шепелев Станислав Олегович старший преподаватель, руководитель СКБ «Робототехника»

Научно-образовательный центр «Микросистемная техника» (НОЦ МСТ)

Научно-исследовательская лаборатория «Передовые технологии корпусирования и производства 3D микросистем» (НИЛ ТКПМ)

Научно-исследовательская лаборатория волоконной и интегральной оптики (НИЛ ВИО)

Студенческое конструкторское бюро «Робототехника» (СКБ «Робототехника»)

Учебно-научный центр «Открытая лаборатория» (УНЦ «Открытая лаборатория»)

Учебно-научный центр проектирования «Mentor Graphics-МИЭТ» (УНЦ «MG-МИЭТ»)

Научно-исследовательская лаборатория нано- и микроэлектромеханических систем (НИЛ Н-МЭМС)

контакты

1967 г. – Создание кафедры микроэлектроники (МЭ) и кафедры технической механики (ТМ) (это две из трёх кафедр, из которых был создан институт НМСТ).
Кафедра микроэлектроники (МЭ) создана в 1967 г. для преподавания на первых факультетах МИЭТ (МПиТК, ФТ, ФХ и ЭМ) учебных дисциплин по конструкторско-технологическим основам создания и практическому применению изделий и технологий микроэлектроники с целью комплексной миниатюризации электронной аппаратуры.
Кафедра технической механики (ТМ) была организована в 1967 году. Кафедра технической механики была создана с целью общеинженерной подготовки специалистов в области механики материалов и конструкций радиоэлектронных средств, микроприборов, оборудования электронной техники и в области технических измерений, метрологии, технического регулирования, стандартизации и подтверждения соответствия.
1968 г. – создание кафедры автоматизированные комплексы микроэлектроники (АКМ) (третья кафедра, вошедшая в состав института НМСТ).
Кафедра автоматизированные комплексы микроэлектроники (АКМ) (первоначальное название – кафедра спецоборудования – СО) создана в 1968 г. на факультете ФХ и ЭМ (физико-химический и электронного машиностроения), которые в 1970 г. организовались в два самостоятельных факультета, и кафедра СО стала выпускающей кафедрой факультета ЭМ по направлению 210107 «Электронное машиностроение» для подготовки специалистов в области проектирования, производства и обслуживания технологического оборудования для изготовления интегральных микросхем.
С 1973 г. кафедра микроэлектроники (МЭ) стала выпускающей по подготовке специалистов в области конструирования и технологии производства микроэлектронной аппаратуры (факультет МП и ТК).
Первый выпуск инженеров состоялся в 1979 году.
2001 г. – образование факультета Электронных технологий, материалов и оборудования (ЭТМО). С 2001 г. с образованием факультета Электронных технологий, материалов и оборудования (ЭТМО) кафедра МЭ вошла в его состав.
2004 г. – объединение кафедры микроэлектроники (МЭ) и кафедры автоматизированные комплексы микроэлектроники (АКМ). В 2004 г. произошло объединение кафедры микроэлектроники (МЭ) и кафедры автоматизированные комплексы микроэлектроники (АКМ) под общим названием – кафедра микроэлектроники. Заведующий кафедрой – Тимошенков С.П.
2017 г. – создание института Нано- и микросистемной техники (НМСТ). Институт нано- и микросистемной техники был создан 1 сентября 2017 года на базе кафедры микроэлектроники, ее научных подразделений и кафедры технической механики.
2024 г. – первый набор в рамках передовой инженерной школы МИЭТ. В 2024 г. состоялся первый набор на программу «Технологическое оборудование для производства изделий микроэлектроники и микросистемной техники» по специальности «Конструирование и технология электронных средств» в рамках Передовой инженерной школы (ПИШ).