Научно-исследовательская лаборатория «Перспективные САПР СБИС» (НИЛ ПСС)

НИЛ ПСС занимается решением задач автоматизации проектирования интегральных схем на основе кремниевых нанотранзисторов. Актуальность данного направления напрямую связана с проблемами масштабирования технологии. При этом значительно усложняются правила проектирования и усиливается влияние наноразмерных эффектов, что приводит к необходимости разработки САПР нового поколения, поддерживающих эффективные методы проектирования и новые модели элементов СБИС. 

Область исследований лаборатории включает перспективные методы создания изделий наноэлектроники, модели кремниевых нанотранзисторов на всех уровнях проектирования, системы автоматизации проектирования нанометровых интегральных схем. Коллектив работников лаборатории исследует и разрабатывает эффективные модели и средства автоматизированного проектирования СБИС с технологиями 15 нм и ниже. Разработанные модели имеют существенное значение для решения широкого класса задач при проектировании ИС на основе транзисторов с вертикальным или круговым затвором, а созданные программные средства можно будет интегрировать в существующие маршруты проектирования для создания интегральных схем с проектными нормами 15 нм и ниже.

Основная задача научно-исследовательской лаборатории "Перспективные САПР СБИС" — это формирование опережающего научно-технологического задела в области перспективных технологий автоматизированного проектирования интегральных схем на основе кремниевых нанотранзисторов с размерами 15 нм и ниже. Основные исполнители имеют значительный опыт в области разработки методов автоматизации проектирования изделий микроэлектроники и передают свои знания и практические навыки будущему поколению разработчиков цифровых интегральных схем.

Дарья Рыжова

к.т.н., начальник НИЛ ПСС

Наши разработки

1. Трехмерные технологические модели кремниевых нанотранзисторов с круговым затвором (GAAFET) и каналом в виде трапеции и расчеты вольт-амперных характеристик 
2. Программный модуль визуализации результатов приборно-технологического моделирования 
3. Алгоритмы автоматической генерации библиотек стандартных ячеек с технологией FinFET на основе теории выполнимости по модулю (в разработке) 
4. Технологическое моделирование полупроводниковых структур с заглубленными шинами питания (в разработке)