Image
Бакалавриат

Профиль «Синхротронное излучение в технологии наноматериалов»

Институт ПМТ готовит уникальных специалистов в области применения синхротронного излучения для исследования и разработки наноматериалов. Магистерская программа разработана совместно с Национальным исследовательским центром «Курчатовский институт».

Синхротронное излучение применяется в исследовании свойств и поведения материалов на наноуровне, определении методов анализа структур, в разработке прорывных технологий создания компонентной базы нано- и микроэлектроники, в разработке биомедицинских и фармацевтических технологий.

В основе обучения:

  • фундаментальные основы физики процессов генерации синхротронного излучения и его взаимодействия с различными материалами
  • изучение свойств и структур наноматериалов, методов их синтеза
  • теория и практика использования синхротронного излучения для анализа наноматериалов
  • принципы работы синхротронных источников излучения, методы детектирования и анализа излучения, а также специализированное программное обеспечение для обработки и интерпретации полученных данных
  • применение синхротронного излучения в различных областях наноматериалов, таких как катализ, электроника, оптика, фотоника, магнетизм и многие другие
  • возможность проводить собственные исследования и эксперименты, используя синхротронные источники излучения и современные методы анализа наноматериалов
  • знакомство с последними тенденциями и достижениями в области наноматериалов и синхротронного излучения, возможность принимать участие в научных конференциях и семинарах, а также сотрудничать с ведущими специалистами в области наноматериалов и синхротронного излучения
Синхротронное излучение является важным инструментом для развития многих высокотехнологичных областей, таких как материаловедение, химия, электроника и наноэлектроника, биология и другие.

Обучение на программе предполагает участие в модернизации источника синхротронного излучения ТНК «Зеленоград» при прохождении практики и дальнейшей трудовой деятельности.