Image
11.03.04
Очная
Бакалавриат

Профиль «Электроника и наноэлектроника»

Информация

Срок обучения 4 года
Бюджетные места:
161
Стоимость обучения (за семестр) 135 000

вступительные испытания

Математика
Русский язык
Физика/ Информатика

О направлении

Обучение предполагает изучение методов проектирования изделий наноэлектроники, средств моделирования приборов и систем наноэлектроники, маршрутов и технологии их создания, физики полупроводников и полупроводниковых приборов.

Изучение элементной базы является важной частью подготовки специалистов в области электроники и наноэлектроники. Понимание свойств и характеристик этих компонентов позволяет эффективно проектировать и разрабатывать современные электронные устройства.

Учебный процесс включает много практических занятий, что позволяет студентам получать опыт работы с современным оборудованием. МИЭТ также предлагает множество бюджетных мест, что делает его более доступным для абитуриентов.

Проходные баллы и количество бюджетных мест

Год

2023

2024

Проходной балл

194

205

Количество бюджетных мест

141

161

Вступительные испытания и минимальное количество баллов

Основа обучения

Русский

Математика

Физика/Информатика

Бюджет

40

46

44/46

Платное

40

40

41/46

Преимущества направления

  • Перспективное направление подготовки (спрос на выпускников на сегодняшний день превышает предложение)
  • Сочетание фундаментальной подготовки и системы курсов по выбору, настраиваемых на потребности предприятий-заказчиков
  • Высокий профессионализм профессорско-преподавательского состава (25% — доктора наук, 55% — кандидаты наук)
  • Техническое оснащение, соответствующее мировому уровню (учебные лаборатории и компьютерные классы, оснащенные высокопроизводительными компьютерами, современным программным и методическим обеспечением, новейшим технологическим, измерительным и диагностическим оборудованием)
  • Обширные связи с передовыми предприятиями отрасли, ведущими ВУЗами страны, институтами РАН, международными компаниями
  • Наличие международных учебно-научных центров